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IRF1010ZPBF  与  IPP084N06L3 G  区别

型号 IRF1010ZPBF IPP084N06L3 G
唯样编号 B-IRF1010ZPBF-2 A3-IPP084N06L3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 富昌电子 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 7.5mΩ@75A,10V 8.4mΩ
上升时间 - 26ns
栅极电压Vgs ±20V 20V
封装/外壳 TO-220AB -
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 94A 50A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
高度 - 15.65mm
漏源极电压Vds 55V 60V
Pd-功率耗散(Max) 140W(Tc) 79W
典型关闭延迟时间 - 37ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 2840pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 95nC @ 10V -
库存与单价
库存 1,550 0
工厂交货期 21 - 42天 56 - 70天
单价(含税)
50+ :  ¥7.6725
200+ :  ¥7.347
750+ :  ¥7.0215
2,000+ :  ¥6.8355
5,000+ :  ¥6.4635
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF1010ZPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB

¥7.6725 

阶梯数 价格
50: ¥7.6725
200: ¥7.347
750: ¥7.0215
2,000: ¥6.8355
5,000: ¥6.4635
1,550 当前型号
STP65NF06 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-220-3

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